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| 芯导科技(688230)经营总结 | | 截止日期 | 2024-06-30 | | 信息来源 | 2024年中期报告 | | 经营情况 | 四、 经营情况的讨论与分析
公司始终坚持以“专注于技术创新和价值创造，为客户提供卓越的产品与服务，实现客户、员工、生态伙伴与企业的共存共赢”作为公司使命，凭借优秀的研发能力及研发团队，通过多年的技术积累，具备搭建功率半导体技术平台并基于技术平台开发出相应产品的能力。
目前，公司已先后开发出针对各类细分产品及细分应用领域的技术平台，公司针对TVS产品先后开发了平面工艺普通容值TVS技术平台、平面工艺低容值TVS技术平台、改进型台面工艺TVS技术平台、深槽隔离工艺TVS技术平台、穿通型NPN结构工艺TVS技术平台、具有SCR结构的低电容ESD平台等；公司针对MOSFET产品先后开发了平面（Planar）工艺MOSFET技术平台、沟槽（Trench）工艺MOSFET技术平台、改进型沟槽（Trench）工艺MOSFET技术平台、屏蔽栅工艺MOSFET技术平台等；公司针对肖特基产品先后开发了平面工艺肖特基技术平台、沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台、改进型沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台等；公司针对第三代半导体GaN HEMT产品开发了高压P-GaN HEMT技术平台；公司针对IC产品先后开发了PSC技术平台、过压保护类技术平台、PB技术平台、音频功放技术平台、DC-DC技术平台，负载开关技术平台。公司随着客户需求的变化、技术的进步，在技术平台下持续更新、迭代，研发出新一代产品投入市场。
（一）报告期内主要经营情况
报告期内，公司实现营业收入15,580.80万元，较上年同期增加18.79%；实现归属于上市公司所有者的净利润 5,221.45万元，较上年同期增加 36.44%；归属于上市公司所有者的扣除非经常性损益的净利润2,489.11万元，较上年同期增加125.66%。
报告期末，公司总资产 225,455.80万元，同比减少 1.18%；归属于上市公司的所有者权益220,783.11万元，同比减少0.66%。
（二）报告期内重点任务完成情况
1、稳步推进研发创新，提升核心竞争力
作为专精特新“小巨人”企业和重点集成电路设计企业，公司一直坚持以自主技术创新为基础，坚持技术领先战略，不断强化技术创新能力。根据市场发展趋势、下游客户需求，有计划、有步骤地进行技术开发和创新，扩展现有产品系列，加强对现有产品的更新迭代，保证公司产品的竞争优势和可持续发展。
（1）功率器件研发方面：
①在TVS产品方面：
A. 公司具有深回退特性的低容超强浪涌防护能力 ESD产品已经在终端大客户验证通过，将在新项目中采用。另外该系列产品也由 1.0*0.6mm的尺寸升级，缩小至 0.6*0.3mm，目前更小尺寸的深回退低容超强浪涌防护能力 ESD产品在封装中，将使产品的阵容更加完善和齐全。
B. 超低容值（0.15pF）具有深回退特性、超小封装（0.6*0.3mm）的 SCR ESD产品基础上升级，开发具有更强静电防护能力的系列产品，目前该增强静电能力系列产品已经进入正式流片阶段。
同时开发用于 HDMI2.1接口保护应用的容值低于 0.3pF的 4路深回退保护器件，目前已经在部分终端客户小批量试运营通过。此外，在超低容值产品的开发工作方面，朝向更低的 0.1pF 的极低容值的 SCR ESD产品已经正式立项开发，目前已经进入版图设计阶段。
C. 公司开发出的超低钳位电压、超大泄放电流的 TVS产品，已经通过大客户的性能验证，由于具有优异的钳位电压、电流泄放能力和动态电阻性能，优于同类其他品牌产品而已被客户设计到终端产品中，目前该系列产品已经有多个型号批量出货。同时，在 Vbus（总线保护）应用方面，基于 DFN2020封装在开发高工作电压的双向保护产品，以满足终端客户在海外出口产品的应用需求，以及具有超低应用负向钳位电压的单向 TVS产品，目前两个系列均在晶圆流片中。
②在 MOSFET产品方面：
A. 中压超低导通电阻和超低栅极电荷的 MOSFET，不断完善产品阵容，加快产品系列化进程。
立项投入开发新的产品，目前新产品项目已经进入到流片阶段，将进一步扩大在电源、光伏储能、电机驱动等领域的市场机会。
B. 低压超低导通电阻和超低栅极电荷的 MOSFET 产品，新的增强 GS 间静电保护能力的MOSFET系列产品已经进入封装阶段，将在手机、平板电脑、TWS、笔记本电脑等消费类领域，为终端客户提供更加安全、可靠的产品。在电动工具、BMS、电机控制等多领域也同步在完善产品阵容，包括 N沟通、P沟道的不同档位的产品也逐步形成量产出货。同时在开发贴合应用的叠片工艺、共 S、共 D极产品，将为终端客户提供最优应用解决方案。
③在肖特基产品方面：
目前正在开发具有超小封装尺寸，超低正向导通压降的超低容值肖特基产品，该产品已经进入到版图设计阶段，开发成功后，具有开关频率快，产品损耗低等突出性能。
④在GaN HEMT产品方面：
公司第三代半导体 650V GaN HEMT 产品阵列中已成功加入具有90-300mR 的P-GaN系列产品，目前多个客户已将前述产品纳入自身项目资源池中，公司正在积极与客户沟通，等待客户正式启动项目后进入小批量试生产。此外，中低压GaN HEMT产品有序开发中，其中40V产品已经进入封装测试环节。650V Cascode结构GaN HEMT有序开发中，目前初步形成了90-900mR系列产品。
⑤在IGBT产品方面：
公司650V/1200V 100A以下小电流产品已初步形成产品系列化，通流能力在25A~75A范围，采用TO-247/TO-247PLUS单管封装形式，目前在工业控制等领域重点推广；公司1200V 100A以上大电流产品设计和工艺平台建成，首颗1200V200A芯片完成测试评价，参数一致性好，具有高可靠性和强鲁棒性。1200V100A/150A、1700V150A/200A 等系列化产品陆续进行流片产出。大电流产品主要采用Econodual3/62mm等模块封装形式，重点在储能等新能源领域推广。
（2）功率IC研发方面：
①在过流过压保护类IC产品方面：
A． 现有产品系列化不断丰富，成功导入知名终端产品中，并实现量产。
B． 30V/108mΩ规格产品已完成改版开发，处于送样推广阶段。
C． 公司高耐压、低成本过压保护类产品正在立项评估中，可行性评估通过后推进产品设计开发工作。
②在充电类IC产品方面：
A． 开关充电系列从“3A充电（带路径管理）”到“3A充电低待机电流（带路径管理）”、“3A大电流（带协议、带路径管理）”规格不断更新，积极响应客户需求，丰富公司产品功能，目前该系列产品已在客户端完成试产验证。
B． 同系列“单芯片 5A带路径管理开关充电产品”已完成性能优化版本的设计工作。为满足客户项目不断升级的需求，公司将原 5V/1.75A开关充电 IC迭代成 5-12V/3.78A高压充电 IC，已完成初版开发，目前在推进改版事宜。
③在大电流降压DC-DC IC产品方面：
具有高效率高可靠性特点的产品，已扩展到工控领域的应用，实现小批量出货，并同步推进平台验证，持续导入品牌客户。
④在负载开关IC产品方面：
为了满足客户日益增长的功耗管理需求，对现有产品进行系列化，通过拓展限流负载开关产品，丰富开关保护IC品类，已成功导入多家品牌客户。
2、深化品牌建设，巩固合作伙伴关系
公司始终以客户需求作为第一需求，积极参加行业展会、论坛，及时掌握行业动态及客户需求，促进与合作伙伴的交流合作，进一步加强品牌宣传力度，提升公司知名度。提高产品质量，提升服务水平，为客户提供更丰富的产品和更优质的服务，赢得客户认可，实现市场拓展和业务增长，维护公司品牌形象。报告期内，公司完成了如下工作：
（1）公司2024产品推介会暨合作伙伴大会在深圳举行，公司向行业资深合作伙伴及优秀代理商积极传递了各产品线的竞争优势和应用机会，大家汇聚一堂，加深合作，携手共进。
（2）公司受邀参加上海祥承通讯技术有限公司2024全球供应伙伴大会，公司凭借优质的产品与卓越的服务荣获“风雨同舟奖”，本次获奖既是对公司多年合作的肯定，更是对未来相互成就的期许。
（3）第十届中国品牌经济（上海）论坛系列活动——上海专精特新品牌价值创新提升主题论坛在上海举办，公司入选“2024上海专精特新‘小巨人’企业品牌价值榜——百佳企业”名单。
（4）公司参加了2024年（春季）亚洲充电展（ACE），展出了MOSFET、GaN HEMT、防护器件等产品在PD快充适配器、移动电源、无线充等电源相关设备中的应用。
（5）公司与ST、Qorvo、MPS等公司共同组成“绿色能源专区”亮相2024国际集成电路展览会暨研讨会(IIC Shanghai)，公司展示了IGBT单管及模组、SiC MOSFET、SiC SBD、GaN HEMT、GaN IC等应用于风光储充及汽车领域的相关产品。
3、加强校企交流，探索产学融合新模式
报告期内，西安交通大学党委书记卢建军一行莅临芯导科技调研走访，进一步推动产学研深度融合，促进学校与企业之间的合作共赢。此次调研走访不仅加深了学校与校友企业之间的联系，更为双方未来的合作与发展奠定了基础。公司将积极参与行业交流，拓展资源，务实合作，打造新的增长点，为行业的蓬勃发展增势赋能。
此外，复旦MBA半导体俱乐部、复旦大学微电子学院等走进公司，共话第三代半导体前沿领域，探讨人才发展战略，本次参访为复旦大学与公司的更进一步合作奠定了良好基础。
报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
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